深紫外UV-C LED方面又公開專利了

發(fā)布時間：2024-07-06 11:13 來源：螢光創(chuàng)新

怎么除藻對于養(yǎng)殖相關(guān)是一個很頭疼的問題

，怎么去更好的解決這個問題呢？

某大學(xué)近期公開了一種除藻抑嗅結(jié)構(gòu)及裝置

，這一發(fā)明通過采用微納米曝氣單元改善水力條件

，避免高濃度藻阻擋紫外穿透效果

。

這款裝置涉及水處理技術(shù)領(lǐng)域

，包括太陽能板

、浮標外殼

、浸水套管、微納米曝氣單元

、測藻單元和紫外LED發(fā)光單元

，太陽能板分別與微納米曝氣單元、測藻單元和紫外LED發(fā)光單元電連接

；太陽能板位于浮標外殼上

；浮標外殼與浸水套管連接；微納米曝氣單元和測藻單元均位于浸水套管中

，且微納米曝氣單元的一端和測藻單元的一端均與水體接觸；紫外LED發(fā)光單元包括若干紫外LED發(fā)光部件

，若干紫外LED發(fā)光部件均設(shè)置在浸水套管中

，且各紫外LED發(fā)光部件發(fā)射的光均朝向水體，以達成阻絕藻類成長的效果

。

深紫外UV-C LED方面近期還公開了一項通照兩用的深紫外UV-C LED技術(shù)

。

此項技術(shù)包括從下到上依次排列分布的導(dǎo)電襯底、第一鍵合金屬層

、第二鍵合金屬層

、絕緣層、P接觸反射鏡金屬及保護層

、p型GaN層

、AlGaN多量子阱層、n型GaN層

；嵌入式柱狀N電極沉積于嵌入式柱狀N電極通道內(nèi)

；嵌入式柱狀N電極的上表面與n型GaN層形成歐姆接觸；柱狀P電極沉積于柱狀P電極通道

；柱狀P電極的底端位于LED芯片底部

。

這一實用新型將柱狀P電極制作于LED芯片底部，避免了因制作電極而損失一部分發(fā)光面積

，有效提升芯片的光輸出功率

；同時，采用漸變Al組分結(jié)構(gòu)的AlGaN多量子阱層

，有效提高了內(nèi)量子效率和光輸出效率

。

青島螢光紫外消殺產(chǎn)品主要包括空氣殺菌、表面殺菌

、水殺菌

、醫(yī)療殺菌等系列產(chǎn)品。公司擁有專業(yè)的博士后團隊，專注于紫外殺菌應(yīng)用的研究

，經(jīng)過多年深耕紫外行業(yè)

，公司獲得多項國家發(fā)明和實用新型專利。目前多款殺菌模組類產(chǎn)品已經(jīng)投入市場

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